1: シューティングスタープレス(空)@転載禁止 2014/05/26(月) 15:12:27.79 ID:qSKXnKBW0 BE:944416163-PLT(13121) ポイント特典
http://www.nikkei.com/article/DGXNASFK2102Y_R20C14A5000000/
中央大がSSD高速化技術、書き込み速度4倍に
中央大学 理工学部 電気電子情報通信工学科 教授の竹内健氏らのグループは、
NANDフラッシュメモリー・ベースの半導体ディスク装置(SSD)の書き込み速度や消費電力、書き換え可能回数(寿命)を大幅に改善できる技術を開発した。
詳細を半導体メモリー技術に関する国際学会「2014 IEEE International Memory Workshop (IMW)」(2014年5月18~21日、台北)で発表した。
(中略)
シミュレーションの結果、今回の技術を使うことでSSDの書き込み速度を従来比で最大4倍に改善できることを確認した。
消費エネルギーは同60%減少し、書き換え回数は同55%減ってその分寿命を伸ばせる。
今回の手法はNANDフラッシュメモリーそのものには一切変更を加えず、ミドルウエアで完結した技術であるため、
現行のSSDに直ちに実装可能という。
中央大がSSD高速化技術、書き込み速度4倍に
中央大学 理工学部 電気電子情報通信工学科 教授の竹内健氏らのグループは、
NANDフラッシュメモリー・ベースの半導体ディスク装置(SSD)の書き込み速度や消費電力、書き換え可能回数(寿命)を大幅に改善できる技術を開発した。
詳細を半導体メモリー技術に関する国際学会「2014 IEEE International Memory Workshop (IMW)」(2014年5月18~21日、台北)で発表した。
(中略)
シミュレーションの結果、今回の技術を使うことでSSDの書き込み速度を従来比で最大4倍に改善できることを確認した。
消費エネルギーは同60%減少し、書き換え回数は同55%減ってその分寿命を伸ばせる。
今回の手法はNANDフラッシュメモリーそのものには一切変更を加えず、ミドルウエアで完結した技術であるため、
現行のSSDに直ちに実装可能という。
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引用元: ・SSDが変わる!書き込み速度4倍、消費エネルギー60%減、書き換え回数55%減
